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Artigo de periodico
Mechanism of dopant segregation to Si'O IND.2'/Si(001) interfaces (2000)
Dabrowski, J.; Casali, R A; Mussig, H. J.; Baierle, Rogerio Jose; Caldas, Marília Junqueira
Source: Journal of Vacuum Science & Technology B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
DABROWSKI, J. et al. Mechanism of dopant segregation to Si'O IND.2'/Si(001) interfaces. Journal of Vacuum Science & Technology B, v. 18, n. 4, p. 2160-2164, 2000Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JVTBD9000018000004002160000001&idtype=cvips. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Dabrowski, J., Casali, R. A., Mussig, H. J., Baierle, R. J., & Caldas, M. J. (2000). Mechanism of dopant segregation to Si'O IND.2'/Si(001) interfaces. Journal of Vacuum Science & Technology B, 18( 4), 2160-2164. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JVTBD9000018000004002160000001&idtype=cvips
NLM
Dabrowski J, Casali RA, Mussig HJ, Baierle RJ, Caldas MJ. Mechanism of dopant segregation to Si'O IND.2'/Si(001) interfaces [Internet]. Journal of Vacuum Science & Technology B. 2000 ; 18( 4): 2160-2164.[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JVTBD9000018000004002160000001&idtype=cvips
Vancouver
Dabrowski J, Casali RA, Mussig HJ, Baierle RJ, Caldas MJ. Mechanism of dopant segregation to Si'O IND.2'/Si(001) interfaces [Internet]. Journal of Vacuum Science & Technology B. 2000 ; 18( 4): 2160-2164.[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JVTBD9000018000004002160000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Segregation of phosphorus to Si'O IND.2'/Si(001) interfaces (2000)
Dabrowski, J.; Mussig, H. J.; Baierle, Rogerio Jose; Caldas, Marilia Junqueira; Zavodinsky, V
Source: Materials Science in Semiconductor Processing. Unidade: IF
Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
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ABNT
DABROWSKI, J. et al. Segregation of phosphorus to Si'O IND.2'/Si(001) interfaces. Materials Science in Semiconductor Processing, v. 3, n. 1-2, p. 85-89, 2000Tradução . . Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Dabrowski, J., Mussig, H. J., Baierle, R. J., Caldas, M. J., & Zavodinsky, V. (2000). Segregation of phosphorus to Si'O IND.2'/Si(001) interfaces. Materials Science in Semiconductor Processing, 3( 1-2), 85-89.
NLM
Dabrowski J, Mussig HJ, Baierle RJ, Caldas MJ, Zavodinsky V. Segregation of phosphorus to Si'O IND.2'/Si(001) interfaces. Materials Science in Semiconductor Processing. 2000 ; 3( 1-2): 85-89.[citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Dabrowski J, Mussig HJ, Baierle RJ, Caldas MJ, Zavodinsky V. Segregation of phosphorus to Si'O IND.2'/Si(001) interfaces. Materials Science in Semiconductor Processing. 2000 ; 3( 1-2): 85-89.[citado 2024 maio 23 ]
Artigo de periodico
A unified microscopic mechanism for donor deactivation in Si (1999)
Baierle, Rogerio Jose; Caldas, Marilia Junqueira; Dabrowski, J.; Mussig, H. J.; Zavodinsky, V.
Source: Physica B. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, INTERFACE
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ABNT
BAIERLE, Rogerio Jose et al. A unified microscopic mechanism for donor deactivation in Si. Physica B, v. 274, p. 260-263, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00477-9. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Baierle, R. J., Caldas, M. J., Dabrowski, J., Mussig, H. J., & Zavodinsky, V. (1999). A unified microscopic mechanism for donor deactivation in Si. Physica B, 274, 260-263. doi:10.1016/s0921-4526(99)00477-9
NLM
Baierle RJ, Caldas MJ, Dabrowski J, Mussig HJ, Zavodinsky V. A unified microscopic mechanism for donor deactivation in Si [Internet]. Physica B. 1999 ; 274 260-263.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00477-9
Vancouver
Baierle RJ, Caldas MJ, Dabrowski J, Mussig HJ, Zavodinsky V. A unified microscopic mechanism for donor deactivation in Si [Internet]. Physica B. 1999 ; 274 260-263.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00477-9

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