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Artigo de periodico
Bound photoinduced giant spin polaron in EuTe (2022)
Henriques, André Bohomoletz ; Kooten, Sjoerd Van ; Abramof, Eduardo ; Rappl, P.H.O. ; Galgano, Giovanni Decot
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICO-QUÍMICA, SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA), FOTOLUMINESCÊNCIA, ESPECTROSCOPIA DA LUZ, SPIN, POLARIZAÇÃO, MÉTODO DE MONTE CARLO
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ABNT
HENRIQUES, André Bohomoletz et al. Bound photoinduced giant spin polaron in EuTe. Journal of Applied Physics, v. 131, n. 4, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/5.0079384. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Henriques, A. B., Kooten, S. V., Abramof, E., Rappl, P. H. O., & Galgano, G. D. (2022). Bound photoinduced giant spin polaron in EuTe. Journal of Applied Physics, 131( 4). doi:10.1063/5.0079384
NLM
Henriques AB, Kooten SV, Abramof E, Rappl PHO, Galgano GD. Bound photoinduced giant spin polaron in EuTe [Internet]. Journal of Applied Physics. 2022 ; 131( 4):[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0079384
Vancouver
Henriques AB, Kooten SV, Abramof E, Rappl PHO, Galgano GD. Bound photoinduced giant spin polaron in EuTe [Internet]. Journal of Applied Physics. 2022 ; 131( 4):[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0079384
Relatorio tecnico
Hybrid reflections from multiple x-ray scattering in epitaxial bismuth telluride topological insulator films (2020)
Morelhão, Sergio Luiz ; Kycia, Stefan; Netzke, Samuel; Fornari, Celso I.; Rappl, Paulo H. O.; Abramof, Eduardo
Unidade: IF
Subjects: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, SEMICONDUTORES, CRISTALOGRAFIA DE RAIOS X
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ABNT
MORELHÃO, Sergio Luiz et al. Hybrid reflections from multiple x-ray scattering in epitaxial bismuth telluride topological insulator films. . Melville: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/2007.15042.pdf. Acesso em: 23 maio 2024. , 2020
APA
Morelhão, S. L., Kycia, S., Netzke, S., Fornari, C. I., Rappl, P. H. O., & Abramof, E. (2020). Hybrid reflections from multiple x-ray scattering in epitaxial bismuth telluride topological insulator films. Melville: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/2007.15042.pdf
NLM
Morelhão SL, Kycia S, Netzke S, Fornari CI, Rappl PHO, Abramof E. Hybrid reflections from multiple x-ray scattering in epitaxial bismuth telluride topological insulator films [Internet]. 2020 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/2007.15042.pdf
Vancouver
Morelhão SL, Kycia S, Netzke S, Fornari CI, Rappl PHO, Abramof E. Hybrid reflections from multiple x-ray scattering in epitaxial bismuth telluride topological insulator films [Internet]. 2020 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/2007.15042.pdf
Relatorio tecnico
Morphology Control in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators (2020)
Fornari, Celso I; Abramof, Eduardo; Rappl, Paulo H O; Kycia, Stefan W; Morelhão, Sergio Luiz
Unidade: IF
Subjects: FILMES FINOS, BISMUTO
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ABNT
FORNARI, Celso I et al. Morphology Control in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/ftp/arxiv/papers/2008/2008.02180.pdf. Acesso em: 23 maio 2024. , 2020
APA
Fornari, C. I., Abramof, E., Rappl, P. H. O., Kycia, S. W., & Morelhão, S. L. (2020). Morphology Control in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/ftp/arxiv/papers/2008/2008.02180.pdf
NLM
Fornari CI, Abramof E, Rappl PHO, Kycia SW, Morelhão SL. Morphology Control in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators [Internet]. 2020 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://arxiv.org/ftp/arxiv/papers/2008/2008.02180.pdf
Vancouver
Fornari CI, Abramof E, Rappl PHO, Kycia SW, Morelhão SL. Morphology Control in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators [Internet]. 2020 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://arxiv.org/ftp/arxiv/papers/2008/2008.02180.pdf
Artigo de periodico
Dynamics of Defects in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators (2019)
Morelhão, Sérgio L. ; Kycia, Stefan W.; Netzke, Samuel; Fornari, Celso I.; Rappl, Paulo H. O.; Abramof, Eduardo
Source: The Journal of Physical Chemistry C. Unidade: IF
Subjects: RADIAÇÃO SINCROTRON, SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA), MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, CRISTALOGRAFIA, BISMUTO
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ABNT
MORELHÃO, Sérgio L. et al. Dynamics of Defects in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators. The Journal of Physical Chemistry C, v. 123, n. 40, p. 24818-24825, 2019Tradução . . Disponível em: https://doi-org.ez67.periodicos.capes.gov.br/10.1021/acs.jpcc.9b05377. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Morelhão, S. L., Kycia, S. W., Netzke, S., Fornari, C. I., Rappl, P. H. O., & Abramof, E. (2019). Dynamics of Defects in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators. The Journal of Physical Chemistry C, 123( 40), 24818-24825. doi:10.1021/acs.jpcc.9b05377
NLM
Morelhão SL, Kycia SW, Netzke S, Fornari CI, Rappl PHO, Abramof E. Dynamics of Defects in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators [Internet]. The Journal of Physical Chemistry C. 2019 ; 123( 40): 24818-24825.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi-org.ez67.periodicos.capes.gov.br/10.1021/acs.jpcc.9b05377
Vancouver
Morelhão SL, Kycia SW, Netzke S, Fornari CI, Rappl PHO, Abramof E. Dynamics of Defects in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators [Internet]. The Journal of Physical Chemistry C. 2019 ; 123( 40): 24818-24825.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi-org.ez67.periodicos.capes.gov.br/10.1021/acs.jpcc.9b05377
Relatorio tecnico
X-ray tools for van der waals epitaxy of bismuth telluride topological insulator films (2018)
Kycia, Stefan; Netzke, Samuel; Fornari, Celso I.; Rappl, Paulo H. O.; Abramof, Eduardo; Morelhao, Sergio Luiz
Unidade: IF
Subjects: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, SEMICONDUTORES, CRISTALOGRAFIA DE RAIOS X
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ABNT
KYCIA, Stefan et al. X-ray tools for van der waals epitaxy of bismuth telluride topological insulator films. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/abs/1812.10804. Acesso em: 23 maio 2024. , 2018
APA
Kycia, S., Netzke, S., Fornari, C. I., Rappl, P. H. O., Abramof, E., & Morelhao, S. L. (2018). X-ray tools for van der waals epitaxy of bismuth telluride topological insulator films. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/abs/1812.10804
NLM
Kycia S, Netzke S, Fornari CI, Rappl PHO, Abramof E, Morelhao SL. X-ray tools for van der waals epitaxy of bismuth telluride topological insulator films [Internet]. 2018 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://arxiv.org/abs/1812.10804
Vancouver
Kycia S, Netzke S, Fornari CI, Rappl PHO, Abramof E, Morelhao SL. X-ray tools for van der waals epitaxy of bismuth telluride topological insulator films [Internet]. 2018 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://arxiv.org/abs/1812.10804
Artigo de periodico
Hybrid reflections from multiple x-ray scattering in epitaxial bismuth telluride topological insulator films (2018)
Morelhao, Sergio Luiz; Kycia, Stefan; Netzke, Samuel; Fornari, Celso I.; Rappl, Paulo H. O.; Abramof, Eduardo
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, SEMICONDUTORES, CRISTALOGRAFIA DE RAIOS X
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ABNT
MORELHAO, Sergio Luiz et al. Hybrid reflections from multiple x-ray scattering in epitaxial bismuth telluride topological insulator films. Applied Physics Letters, v. 112, n. 12, p. 101903, 2018Tradução . . Disponível em: https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.5020375. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Morelhao, S. L., Kycia, S., Netzke, S., Fornari, C. I., Rappl, P. H. O., & Abramof, E. (2018). Hybrid reflections from multiple x-ray scattering in epitaxial bismuth telluride topological insulator films. Applied Physics Letters, 112( 12), 101903. doi:10.1063/1.5020375
NLM
Morelhao SL, Kycia S, Netzke S, Fornari CI, Rappl PHO, Abramof E. Hybrid reflections from multiple x-ray scattering in epitaxial bismuth telluride topological insulator films [Internet]. Applied Physics Letters. 2018 ; 112( 12): 101903.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.5020375
Vancouver
Morelhao SL, Kycia S, Netzke S, Fornari CI, Rappl PHO, Abramof E. Hybrid reflections from multiple x-ray scattering in epitaxial bismuth telluride topological insulator films [Internet]. Applied Physics Letters. 2018 ; 112( 12): 101903.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.5020375
Artigo de periodico
Nanoscale characterization of bismuth telluride epitaxial layers by advanced X-ray analysis (2017)
Morelhao, Sergio Luiz; Fornari, Celso I; Rappl, Paulo Henrique de Oliveira; Abramof, Eduardo
Source: Journal of Applied Crystallography. Unidade: IF
Subjects: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
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ABNT
MORELHAO, Sergio Luiz et al. Nanoscale characterization of bismuth telluride epitaxial layers by advanced X-ray analysis. Journal of Applied Crystallography, v. 50, n. 2, p. 399-410, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1107/S1600576717000760. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Morelhao, S. L., Fornari, C. I., Rappl, P. H. de O., & Abramof, E. (2017). Nanoscale characterization of bismuth telluride epitaxial layers by advanced X-ray analysis. Journal of Applied Crystallography, 50( 2), 399-410. doi:10.1107/S1600576717000760
NLM
Morelhao SL, Fornari CI, Rappl PH de O, Abramof E. Nanoscale characterization of bismuth telluride epitaxial layers by advanced X-ray analysis [Internet]. Journal of Applied Crystallography. 2017 ; 50( 2): 399-410.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1107/S1600576717000760
Vancouver
Morelhao SL, Fornari CI, Rappl PH de O, Abramof E. Nanoscale characterization of bismuth telluride epitaxial layers by advanced X-ray analysis [Internet]. Journal of Applied Crystallography. 2017 ; 50( 2): 399-410.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1107/S1600576717000760
Artigo de periodico
Photoinduced giant magnetic polarons in 'EU''TE' (2017)
Henriques, André Bohomoletz; Naupa Roque, Alexander Raul; Usachev, P A; Pavlov, V V; Rappl, P H O; Abramof, Eduardo
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO
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ABNT
HENRIQUES, André Bohomoletz et al. Photoinduced giant magnetic polarons in 'EU''TE'. Physical Review B, v. 95, n. 4, p. 045205/1-045205/7, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.045205. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Henriques, A. B., Naupa Roque, A. R., Usachev, P. A., Pavlov, V. V., Rappl, P. H. O., & Abramof, E. (2017). Photoinduced giant magnetic polarons in 'EU''TE'. Physical Review B, 95( 4), 045205/1-045205/7. doi:10.1103/PhysRevB.95.045205
NLM
Henriques AB, Naupa Roque AR, Usachev PA, Pavlov VV, Rappl PHO, Abramof E. Photoinduced giant magnetic polarons in 'EU''TE' [Internet]. Physical Review B. 2017 ; 95( 4): 045205/1-045205/7.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.045205
Vancouver
Henriques AB, Naupa Roque AR, Usachev PA, Pavlov VV, Rappl PHO, Abramof E. Photoinduced giant magnetic polarons in 'EU''TE' [Internet]. Physical Review B. 2017 ; 95( 4): 045205/1-045205/7.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.045205
Artigo de periodico
Structural properties of 'BI' IND. 2''TE' IND. 3' topological insulator thin films grown by molecular beam epitaxy on (111) 'BA''F' IND. 2' substrates (2016)
Fornari, Celso I.; Rappl, Paulo H. O.; Abramof, Eduardo; Morelhao, Sergio Luiz
Source: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, RAIOS X
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ABNT
FORNARI, Celso I. et al. Structural properties of 'BI' IND. 2''TE' IND. 3' topological insulator thin films grown by molecular beam epitaxy on (111) 'BA''F' IND. 2' substrates. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, v. 119, n. 16, p. 165303, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4947266. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Fornari, C. I., Rappl, P. H. O., Abramof, E., & Morelhao, S. L. (2016). Structural properties of 'BI' IND. 2''TE' IND. 3' topological insulator thin films grown by molecular beam epitaxy on (111) 'BA''F' IND. 2' substrates. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 119( 16), 165303. doi:10.1063/1.4947266
NLM
Fornari CI, Rappl PHO, Abramof E, Morelhao SL. Structural properties of 'BI' IND. 2''TE' IND. 3' topological insulator thin films grown by molecular beam epitaxy on (111) 'BA''F' IND. 2' substrates [Internet]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2016 ; 119( 16): 165303.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4947266
Vancouver
Fornari CI, Rappl PHO, Abramof E, Morelhao SL. Structural properties of 'BI' IND. 2''TE' IND. 3' topological insulator thin films grown by molecular beam epitaxy on (111) 'BA''F' IND. 2' substrates [Internet]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2016 ; 119( 16): 165303.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4947266
Relatorio tecnico
Nanoscale characterization of bismuth telluride epitaxic layers by advanced X-ray analysis (2016)
Morelhão, Sergio Luiz; Fornari, Celso I.; Rappl, Paulo H. O.; Abramof, Eduardo
Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MORELHÃO, Sergio Luiz et al. Nanoscale characterization of bismuth telluride epitaxic layers by advanced X-ray analysis. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/1612.09386.pdf. Acesso em: 23 maio 2024. , 2016
APA
Morelhão, S. L., Fornari, C. I., Rappl, P. H. O., & Abramof, E. (2016). Nanoscale characterization of bismuth telluride epitaxic layers by advanced X-ray analysis. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/1612.09386.pdf
NLM
Morelhão SL, Fornari CI, Rappl PHO, Abramof E. Nanoscale characterization of bismuth telluride epitaxic layers by advanced X-ray analysis [Internet]. 2016 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/1612.09386.pdf
Vancouver
Morelhão SL, Fornari CI, Rappl PHO, Abramof E. Nanoscale characterization of bismuth telluride epitaxic layers by advanced X-ray analysis [Internet]. 2016 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/1612.09386.pdf
Trabalho de evento-resumo
Electrical investigation on band inversion of 'PB' IND. 1- x' 'SN' IND. x' 'TE' films (2014)
Silva, Matheus José da S; Castro, Suelen de; Soares, Demetrio Artur Werner; Peres, Marcelos Lima; Rappl, Paulo Henrique de Oliveira; Abramof, Eduardo; Chitta, Valmir Antonio
Source: SBF. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, TOPOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Matheus José da S et al. Electrical investigation on band inversion of 'PB' IND. 1- x' 'SN' IND. x' 'TE' films. 2014, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0989-1.pdf. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Silva, M. J. da S., Castro, S. de, Soares, D. A. W., Peres, M. L., Rappl, P. H. de O., Abramof, E., & Chitta, V. A. (2014). Electrical investigation on band inversion of 'PB' IND. 1- x' 'SN' IND. x' 'TE' films. In SBF. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0989-1.pdf
NLM
Silva MJ da S, Castro S de, Soares DAW, Peres ML, Rappl PH de O, Abramof E, Chitta VA. Electrical investigation on band inversion of 'PB' IND. 1- x' 'SN' IND. x' 'TE' films [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0989-1.pdf
Vancouver
Silva MJ da S, Castro S de, Soares DAW, Peres ML, Rappl PH de O, Abramof E, Chitta VA. Electrical investigation on band inversion of 'PB' IND. 1- x' 'SN' IND. x' 'TE' films [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0989-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Electrical transport mesurements on 'BI' IND. 2' 'TE' IND. 3' topological insulator (2014)
Peres, Marcelos Lima; Castro, Suelen de; Soares, Demetrio A. W.; Rappl, Paulo Henrique de O.; Abramof, Eduardo; Chitta, Valmir Antonio
Source: SBF. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SPINTRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PERES, Marcelos Lima et al. Electrical transport mesurements on 'BI' IND. 2' 'TE' IND. 3' topological insulator. 2014, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0942-1.pdf. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Peres, M. L., Castro, S. de, Soares, D. A. W., Rappl, P. H. de O., Abramof, E., & Chitta, V. A. (2014). Electrical transport mesurements on 'BI' IND. 2' 'TE' IND. 3' topological insulator. In SBF. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0942-1.pdf
NLM
Peres ML, Castro S de, Soares DAW, Rappl PH de O, Abramof E, Chitta VA. Electrical transport mesurements on 'BI' IND. 2' 'TE' IND. 3' topological insulator [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0942-1.pdf
Vancouver
Peres ML, Castro S de, Soares DAW, Rappl PH de O, Abramof E, Chitta VA. Electrical transport mesurements on 'BI' IND. 2' 'TE' IND. 3' topological insulator [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0942-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Photoconductivity kinetics in p-type 'PB''TE':'BA'F IND. 2' (2014)
Castro, Suelen de; Soares, Demétrio Artur Werner; Peres, Marcelos Lima; Rappl, Paulo Henrique de Oliveira; Abramof, Eduardo; Chitta, Valmir Antônio
Source: SBF. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FOTOCONDUTIVIDADE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CASTRO, Suelen de et al. Photoconductivity kinetics in p-type 'PB''TE':'BA'F IND. 2'. 2014, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0961-1.pdf. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Castro, S. de, Soares, D. A. W., Peres, M. L., Rappl, P. H. de O., Abramof, E., & Chitta, V. A. (2014). Photoconductivity kinetics in p-type 'PB''TE':'BA'F IND. 2'. In SBF. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0961-1.pdf
NLM
Castro S de, Soares DAW, Peres ML, Rappl PH de O, Abramof E, Chitta VA. Photoconductivity kinetics in p-type 'PB''TE':'BA'F IND. 2' [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0961-1.pdf
Vancouver
Castro S de, Soares DAW, Peres ML, Rappl PH de O, Abramof E, Chitta VA. Photoconductivity kinetics in p-type 'PB''TE':'BA'F IND. 2' [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0961-1.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Influence of quantum-dots density on average in-plane strain of optoelectronic devices investigated by high-resolution X-ray diffraction (2009)
Freitas, Raul de Oliveira; Diaz, Beatriz; Abramof, Eduardo; Quivy, A. A.; Morelhão, Sérgio Luiz
Source: Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. Conference titles: Biennial Conference on High Resolution X-Ray Diffraction and Imaging. Unidade: IF
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FREITAS, Raul de Oliveira et al. Influence of quantum-dots density on average in-plane strain of optoelectronic devices investigated by high-resolution X-ray diffraction. Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. Weinheim: Wiley-VCH Verlag. Disponível em: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext/122462600/PDFSTART. Acesso em: 23 maio 2024. , 2009
APA
Freitas, R. de O., Diaz, B., Abramof, E., Quivy, A. A., & Morelhão, S. L. (2009). Influence of quantum-dots density on average in-plane strain of optoelectronic devices investigated by high-resolution X-ray diffraction. Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. Weinheim: Wiley-VCH Verlag. Recuperado de http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext/122462600/PDFSTART
NLM
Freitas R de O, Diaz B, Abramof E, Quivy AA, Morelhão SL. Influence of quantum-dots density on average in-plane strain of optoelectronic devices investigated by high-resolution X-ray diffraction [Internet]. Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. 2009 ; 206( 8):[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext/122462600/PDFSTART
Vancouver
Freitas R de O, Diaz B, Abramof E, Quivy AA, Morelhão SL. Influence of quantum-dots density on average in-plane strain of optoelectronic devices investigated by high-resolution X-ray diffraction [Internet]. Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. 2009 ; 206( 8):[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext/122462600/PDFSTART
Trabalho de evento-resumo
Transport and structural properties of SnTe flims grown by molecular beam (2006)
Abramof, Eduardo; Chitta, Valmir Antonio; Rappl, Paulo Henrique de Oliveira; Mengui, Úrsula Andréia; Yukio, Antonio; Oliveira Jr., N. F.
Source: Poster Sessions Abstracts Index : Symposium D. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS (PESQUISA), EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ABRAMOF, Eduardo et al. Transport and structural properties of SnTe flims grown by molecular beam. 2006, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2006. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/5encontro/IndexPosterD.pdf. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Abramof, E., Chitta, V. A., Rappl, P. H. de O., Mengui, Ú. A., Yukio, A., & Oliveira Jr., N. F. (2006). Transport and structural properties of SnTe flims grown by molecular beam. In Poster Sessions Abstracts Index : Symposium D. Rio de Janeiro: SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/5encontro/IndexPosterD.pdf
NLM
Abramof E, Chitta VA, Rappl PH de O, Mengui ÚA, Yukio A, Oliveira Jr. NF. Transport and structural properties of SnTe flims grown by molecular beam [Internet]. Poster Sessions Abstracts Index : Symposium D. 2006 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/5encontro/IndexPosterD.pdf
Vancouver
Abramof E, Chitta VA, Rappl PH de O, Mengui ÚA, Yukio A, Oliveira Jr. NF. Transport and structural properties of SnTe flims grown by molecular beam [Internet]. Poster Sessions Abstracts Index : Symposium D. 2006 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/5encontro/IndexPosterD.pdf
Trabalho de evento
High-resolution x-ray diffraction analysis of 'Pb IND. 1-x' 'EU IND. x' Te (0.8 '< OU =' x '< OU =' 1.0) expitaxial layers (2006)
Diaz Moreno, Beatriz L; Rappl, P H O; Abramof, Eduardo; Galgano, Giovanni Decot; Henriques, André Bohomoletz
Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
DIAZ MORENO, Beatriz L et al. High-resolution x-ray diffraction analysis of 'Pb IND. 1-x' 'EU IND. x' Te (0.8 '< OU =' x '< OU =' 1.0) expitaxial layers. 2006, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R1181-1.pdf. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Diaz Moreno, B. L., Rappl, P. H. O., Abramof, E., Galgano, G. D., & Henriques, A. B. (2006). High-resolution x-ray diffraction analysis of 'Pb IND. 1-x' 'EU IND. x' Te (0.8 '< OU =' x '< OU =' 1.0) expitaxial layers. In . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R1181-1.pdf
NLM
Diaz Moreno BL, Rappl PHO, Abramof E, Galgano GD, Henriques AB. High-resolution x-ray diffraction analysis of 'Pb IND. 1-x' 'EU IND. x' Te (0.8 '< OU =' x '< OU =' 1.0) expitaxial layers [Internet]. 2006 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R1181-1.pdf
Vancouver
Diaz Moreno BL, Rappl PHO, Abramof E, Galgano GD, Henriques AB. High-resolution x-ray diffraction analysis of 'Pb IND. 1-x' 'EU IND. x' Te (0.8 '< OU =' x '< OU =' 1.0) expitaxial layers [Internet]. 2006 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R1181-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
In-situ and ex-situ investigation of In segregation in InGaAs layers grown by molecular beam epitaxy on GaAs (2002)
Martini, S.; Quivy, A. A.; Abramof, Eduardo
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
MARTINI, S. e QUIVY, A. A. e ABRAMOF, Eduardo. In-situ and ex-situ investigation of In segregation in InGaAs layers grown by molecular beam epitaxy on GaAs. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Martini, S., Quivy, A. A., & Abramof, E. (2002). In-situ and ex-situ investigation of In segregation in InGaAs layers grown by molecular beam epitaxy on GaAs. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Martini S, Quivy AA, Abramof E. In-situ and ex-situ investigation of In segregation in InGaAs layers grown by molecular beam epitaxy on GaAs. Resumos. 2002 ;[citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Martini S, Quivy AA, Abramof E. In-situ and ex-situ investigation of In segregation in InGaAs layers grown by molecular beam epitaxy on GaAs. Resumos. 2002 ;[citado 2024 maio 23 ]
Trabalho de evento-resumo
Nanostructure of erbium oxide sol-fel films by x-ray specular reflectivity (2002)
Morelhão, Sérgio Luiz; Brito, Giancarlo Esposito de Souza; Abramof, Eduardo
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: DINÂMICA DAS ESTRUTURAS, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MORELHÃO, Sérgio Luiz e BRITO, Giancarlo Esposito de Souza e ABRAMOF, Eduardo. Nanostructure of erbium oxide sol-fel films by x-ray specular reflectivity. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Morelhão, S. L., Brito, G. E. de S., & Abramof, E. (2002). Nanostructure of erbium oxide sol-fel films by x-ray specular reflectivity. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Morelhão SL, Brito GE de S, Abramof E. Nanostructure of erbium oxide sol-fel films by x-ray specular reflectivity. Resumos. 2002 ;[citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Morelhão SL, Brito GE de S, Abramof E. Nanostructure of erbium oxide sol-fel films by x-ray specular reflectivity. Resumos. 2002 ;[citado 2024 maio 23 ]
Artigo de periodico
Characterization of erbium oxide sol-gel films and devices by grazing incidence X-ray reflectivity (2002)
Morelhão, Sérgio Luiz; Brito, Giancarlo Esposito de Souza; Abramof, Eduardo
Source: Journal of Alloys and Compounds. Unidade: IF
Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MORELHÃO, Sérgio Luiz e BRITO, Giancarlo Esposito de Souza e ABRAMOF, Eduardo. Characterization of erbium oxide sol-gel films and devices by grazing incidence X-ray reflectivity. Journal of Alloys and Compounds, v. 344, n. 102, p. 207-211, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0925-8388(02)00342-0. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Morelhão, S. L., Brito, G. E. de S., & Abramof, E. (2002). Characterization of erbium oxide sol-gel films and devices by grazing incidence X-ray reflectivity. Journal of Alloys and Compounds, 344( 102), 207-211. doi:10.1016/s0925-8388(02)00342-0
NLM
Morelhão SL, Brito GE de S, Abramof E. Characterization of erbium oxide sol-gel films and devices by grazing incidence X-ray reflectivity [Internet]. Journal of Alloys and Compounds. 2002 ; 344( 102): 207-211.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0925-8388(02)00342-0
Vancouver
Morelhão SL, Brito GE de S, Abramof E. Characterization of erbium oxide sol-gel films and devices by grazing incidence X-ray reflectivity [Internet]. Journal of Alloys and Compounds. 2002 ; 344( 102): 207-211.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0925-8388(02)00342-0

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