Optimization of InAs/GaAs submonolayer quantum dots grown on GaAs(001) with a (2×4) surface reconstruction for infrared photodetectors (2023)
- Authors:
- Autor USP: ZEIDAN, AHMAD AL - IF
- Unidade: IF
- Sigla do Departamento: FMT
- DOI: 10.11606/T.43.2023.tde-01082023-130331
- Subjects: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR; FOTODETECTORES; INFRAVERMELHO
- Keywords: PONTOS QUÂNTICOS; SUBMONOCAMADA DE InAs; InAlAs; PHOTODETECTORS; QUANTUM DOTS; InAs SUBMONOLAYER; MOLECULAR BEAM EPITARY
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Abstract: No presente trabalho, investigamos a aplicação de pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs (SML-QDs) como um novo tipo de nanoestruturas para a detecção de radiação no infravermelho médio, que vem aos poucos substituindo os pontos quânticos convencionais de Stranski-Krastanov (SK-QDs) em algumas aplicações específicas. As técnicas de fotoluminescência (PL) e microscopia de varredura por tunelamento em seção transversal (X-STM) foram utilizadas para investigar e otimizar suas condições de crescimento. Posteriormente, vários fotodetectores de radiação infravermelha baseados em SML-QDs de InAs/GaAs foram crescidos por epitaxia de feixe molecular, processados em uma sala limpa por fotolitografia e, finalmente, testados extensivamente para determinar o desempenho deles quando crescidos com uma reconstrução de superfície (2 × 4) que pode ser alcançada em baixas temperaturas (490 C) com baixo fluxo de As (8.0 E-8 Torr) ou em altas temperaturas (528 C) com alto fluxo de As (7.0 E-7 Torr). Como uma das desvantagens dos SK-QDs é a baixa densidade superficial delesque é aproximadamente 10-100 vezes menor que a dos SML-QDstambém propomos uma maneira de aumentar a densidade dos próprios InAs SK-QDs usando o conceito de semente.Ao pré-depositar pontos quânticos de InAlAs, que naturalmente possuem uma densidade cerca de dez vezes maior que a dos SK-QDs de InAs, o campo de tensão gerado pela primeira camada de QDs de InAlAs pode influenciar a nucleação dos SK-QDs de InAs na segunda camada, o que contribui para aumentar a densidade de nanoestruturas na camada superior quando a camada de GaAs entre as duas é mantida muito fina
- Imprenta:
- Data da defesa: 13.07.2023
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo é de acesso aberto
- URL de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: gold
- Licença: cc-by-nc-sa
-
ABNT
ZEIDAN, Ahmad Al. Optimization of InAs/GaAs submonolayer quantum dots grown on GaAs(001) with a (2×4) surface reconstruction for infrared photodetectors. 2023. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-01082023-130331/. Acesso em: 06 jun. 2024. -
APA
Zeidan, A. A. (2023). Optimization of InAs/GaAs submonolayer quantum dots grown on GaAs(001) with a (2×4) surface reconstruction for infrared photodetectors (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-01082023-130331/ -
NLM
Zeidan AA. Optimization of InAs/GaAs submonolayer quantum dots grown on GaAs(001) with a (2×4) surface reconstruction for infrared photodetectors [Internet]. 2023 ;[citado 2024 jun. 06 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-01082023-130331/ -
Vancouver
Zeidan AA. Optimization of InAs/GaAs submonolayer quantum dots grown on GaAs(001) with a (2×4) surface reconstruction for infrared photodetectors [Internet]. 2023 ;[citado 2024 jun. 06 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-01082023-130331/ - Fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamada
- Investigation of the quantum confinement anisotropy in a submonolayer quantum dot infrared photodetector
- Influence of rapid thermal annealing on Stranski-Krastanov and submonolayer quantum dots
- Atomic-scale characterization of single and double layers of InAs and InAlAs Stranski-Krastanov quantum dots
- Evidence of weak strain field in InAs/GaAs submonolayer quantum dots
- The role of surface reconstruction on the performance of INAS/GAAS submonolayer-quantum-dot intermediate-band solar cells
Informações sobre o DOI: 10.11606/T.43.2023.tde-01082023-130331 (Fonte: oaDOI API)
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
